收藏本站
New Product
Si4056DY
Vishay Siliconix
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( ? ) Max.
0.023 at V GS = 10 V
I D (A) a
11.1
Q g (Typ.)
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g and UIS Tested
? Material categorization:
100
0.024 at V GS = 7.5 V
0.031 at V GS = 4.5 V
10.8
9.5
9.7 nC
For definitions of compliance please see
www.vishay.com/doc?99912
SO-8
APPLICATIONS
?
DC/DC Primary Side Switch
D
S
S
1
2
8
7
D
D
?
?
Telecom/Server
Industrial
S
3
6
D
?
Synchronous Rectification
G
G
4
5
D
Top V ie w
Orderin g Information:
Si4056DY-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
S
N -Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
100
± 20
11.1
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
T C = 70 °C
T A = 25 °C
I D
8.8
7.3 b, c
Pulsed Drain Current (t = 300 μs)
Continuous Source-Drain Diode Current
Single Pulse Avalanche Current
Avalanche Energy
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
L = 0.1 mH
I DM
I S
I AS
E AS
5.8 b, c
70
5.1
2.2 b, c
15
11.2
A
mJ
T C = 25 °C
5.7
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
3.6
2.5 b, c
W
T A = 70 °C
1.6 b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient b, d t ? 10 s
Maximum Junction-to-Foot (Drain) Steady State
Symbol
R thJA
R thJF
Typical
35
18
Maximum
50
22
Unit
°C/W
Notes:
a. Based on T C = 25 °C.
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 10 s.
d. Maximum under steady state conditions is 85 °C/W.
Document Number: 62662
S12-1136-Rev. A, 21-May-12
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
1
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4100DY-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
SI4104DY-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
SI4108DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
SI4122DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-SOIC
SI4126DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 39A 8-SOIC
SI4134DY-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4158DY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC
SI4170DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
Si4060-B0B-FM 功能描述:射频收发器 TX 1000fsk EZRadioPRO RoHS:否 制造商:Atmel 频率范围:2322 MHz to 2527 MHz 最大数据速率:2000 Kbps 调制格式:OQPSK 输出功率:4 dBm 类型: 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 最大工作温度:+ 85 C 接口类型:SPI 封装 / 箱体:QFN-32 封装:Tray
Si4060-B0B-FMR 功能描述:射频收发器 TX 1000fsk EZRadioPRO RoHS:否 制造商:Atmel 频率范围:2322 MHz to 2527 MHz 最大数据速率:2000 Kbps 调制格式:OQPSK 输出功率:4 dBm 类型: 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 最大工作温度:+ 85 C 接口类型:SPI 封装 / 箱体:QFN-32 封装:Tray
Si4060-B1B-FM 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:RF Transmitter 13dBm Si4060 EZ RadioPRO Transmitter
Si4060-B1B-FMR 功能描述:射频发射器 13dBm Si4060 EZRadio PRO Transmitter RoHS:否 制造商:Micrel 类型:ASK Transmitter 封装 / 箱体:SOT-23-6 工作频率:300 MHz to 450 MHz 封装:Reel
SI4062DY-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:N-CH MOSFET SO-8 BWL 60V 4.2MOHM @ 10V - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CHAN 60V SO-8 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET 60V 4.2mOhm@10V 32.1A N-CH 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-Ch MOSFET SO-8 BWL 60V 4.2mohm @ 10V
Si4063-B0B-FM 功能描述:射频收发器 TX 18.5mA EZRadioPRO RoHS:否 制造商:Atmel 频率范围:2322 MHz to 2527 MHz 最大数据速率:2000 Kbps 调制格式:OQPSK 输出功率:4 dBm 类型: 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 最大工作温度:+ 85 C 接口类型:SPI 封装 / 箱体:QFN-32 封装:Tray
Si4063-B0B-FMR 功能描述:射频收发器 TX 18.5mA EZRadioPRO RoHS:否 制造商:Atmel 频率范围:2322 MHz to 2527 MHz 最大数据速率:2000 Kbps 调制格式:OQPSK 输出功率:4 dBm 类型: 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 最大工作温度:+ 85 C 接口类型:SPI 封装 / 箱体:QFN-32 封装:Tray
Si4063-B1B-FM 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:+20DBM SI4063 EZRADIOPRO? TRANSMITTER - Rail/Tube 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:20dBm Si4063 EZ RadioPRO Transmitter